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第1周：知识单元一 – PN结与半导体二极管（4学时） PN结与半导体二极管单元测试
1、 P型半导体中，少数载流子是：
A:自由电子
B:空穴
C:带负电的杂质离子
D:带正电的杂质离子
答案: 自由电子
2、 在本征半导体中掺入五价元素后的半导体为：
A:本征半导体
B:五价半导体
C:P型半导体
D:N型半导体
答案: N型半导体
3、 稳压管是利用PN结的（ ）特性制作而成的。
A:单向导电性
B:反向击穿性
C:正向特性
D:稳压特性
答案: 反向击穿性
4、 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于_，而少数载流子的浓度与_关系十分密切。（A、温度， B、掺杂工艺， C、杂质浓度）
A:AB
B:BC
C:CA
D:CB
答案: CA
5、 如果给N型半导体中掺入足够多的三价元素，可将其改型为P型半导体。
A:正确
B:错误
答案: 正确
分析：“足够多”的三价元素，可以提供“足够多”的空穴。
6、 由于N型半导体中存在大量自由电子，故N型半导体会带负电。
A:正确
B:错误
答案: 错误
分析：N型半导体整体呈电中性：大量自由电子存在的同时，还有大量正离子（五价元素提供一个自由电子，成为离子）。
7、 PN结正偏时，势垒电容是主要的。
A:正确
B:错误
答案: 错误
分析：PN结正偏时，势垒区较窄，扩散电容是主要的。
8、 当PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄；当PN结外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽。
A:正确
B:错误
答案: 正确
第2周：知识单元二 – 场效应管及其放大电路（1）（4学时） 场效应管及其放大电路（1）单元测试
1、 某场效应管的IDSS为6mA，而ID从漏极流出，大小为8mA，则该管为：
A:N沟道结型管
B:P沟道结型管
C:耗尽型PMOS管
D:耗尽型NMOS管
E:增强型PMOS管
F:增强型NMOS管
答案: 耗尽型PMOS管
2、 下图中的四个偏置电路中，能正常工作的是：
A:(b)
B:（a)
C:(c)
D:(d)
答案: (c)
3、 图示电路中，若源极电阻RS增大，则该电路的漏电流ID会：
A:减小
B:增大
C:不变
D:不定
答案: 不变
4、 某场效应管的转移特性曲线如图所示，试问该管子是什么类型？
A:N沟道JFET
B:P沟道JFET
C:N沟道增强型MOS管
D:N沟道增强型MOS管
答案: N沟道JFET
5、 由耗尽型NMOS场效应管构成的共源放大电路如图（a）所示，若用示波器观察电路的输入、输出波形出现图（b）所示的波形，则可判断该电路：
A:静态工作点过于靠近截止区
B:静态工作点过于靠近饱和区
C:静态工作点过于靠近恒流区
D:静态工作点过于靠近击穿区
答案: 静态工作点过于靠近截止区
6、 如图两个电路能否放大输入信号？
A:（a）不可以 （b）不可以
B:（a）可以 （b）可以
C:（a）可以 （b）不可以
D:（a）不可以 （b）可以
答案: （a）不可以 （b）不可以
7、 共源放大电路的输入电阻通常_（A、大于， B、小于， C、等于）共射放大电路的输入电阻，因此共源放大电路从信号源索取的电流比较_（A、大， B、小，C、适中）。
A:AA
B:AB
C:AC
D:BA
E:BB
F:BC
G:CA
H:CB
I:CC
J:均不正确
答案: AB
第3周：知识单元二 – 场效应管及其放大电路（2）（4学时） 场效应管及其放大电路（2）单元测试
1、 已知场效应管的输出特性或转移如题图所示，试判别其类型。
（a） （b）
A:a图为N沟结型FET，b图为N沟增强型MOSFET
B:a图为P沟结型FET，b图为N沟增强型MOSFET
C:a图为N沟结型FET，b图为P沟增强型MOSFET
D:a图为P沟结型FET，b图为P沟增强型MOSFET
答案: a图为P沟结型FET，b图为N沟增强型MOSFET
2、 2
A:可变电阻区
B:恒流区
C:截止区
D:不能正常工作
答案: 截止区
3、 3
A:可变电阻区
B:恒流区
C:截止区
D:不能正常工作
答案: 恒流区
4、 4
A:
B:
C:
D:不能正常工作
答案:
5、
A:
B:
C:
D:
答案:
6、
A:
B:
C:
D:不能放大
答案:
7、
A:
B:
C:
D:
答案:
第4周：知识单元三 – 双极型晶体管及其放大电路（1） 双极型晶体管及其放大电路（1）单元测验
1、 已知晶体管工作在线性放大区，并测得各个电极对地电位如题图所示。试确定圆圈中晶体管的类型（ ）。
A:硅NPN
B:硅PNP
C:锗NPN
D:锗PNP
答案: 硅NPN
2、 已知晶体管工作在线性放大区，并测得各个电极对地电位如题图所示。试确定圆圈中晶体管的类型（ ）。
A:锗NPN
B:锗PNP
C:硅NPN
D:硅PNP
答案: 锗PNP
3、 已测得晶体管各电极对地电位如题图所示，试判别晶体管的工作状态（ ）。
A:放大
B:截止
C:饱和
D:损坏
答案: 放大
4、 已测得晶体管各电极对地电位如题图所示，试判别晶体管的工作状态（ ）。
A:放大
B:饱和
C:损坏
D:截止
答案: 损坏
5、 某晶体管的共射输出特性曲线如题图所示。IBQ=0.3mA时，Q1点的β值为（ ）。
A:5
B:50
C:15
D:0
答案: 50
6、 某晶体管的共射输出特性曲线如题图所示，则该管的PCM约为（ ）。
A:500mW
B:330mW
C:200mW
D:150mW
答案: 330mW
7、 某晶体管的共射输出特性曲线如题图所示，则该管的U(BR)CEO约为（ ）。
A:32V
B:40V
C:24V
D:30V
答案: 40V
第5周：知识单元三 – 双极型晶体管及其放大电路（2） 双极型晶体管及其放大电路（2）单元测验
1、 晶体管电路如题图所示。已知β＝100，UBE ＝﹣0.3V，则直流工作点ICQ、UCEQ分别是( )。
A:2mA 5.4V
B: 4mA -5.4V
C: 2mA -5.4V
D: 4mA 5.4V
答案: 2mA -5.4V
2、 放大电路及晶体管三极管的输出特性如题图a、b所示。设UBE(on) ＝0V，各电容对信号视作短路，则晶体管的β和rce分别为（ ）。
A:∞ ∞
B:100 ∞
C: 0 0
D:100 100
答案: 100 ∞
3、 放大电路及晶体管三极管的输出特性如题图所示。设UBE(on) ＝0V，各电容对信号视作短路，则电路的交流负载线为（）。
A:①
B:②
C:③
D:④
答案: ②
4、 放大电路如题图所示，已知β = 50，UBE = 0.7V，UCES = 0，RC = 2kW，RL = 20kW，UCC = 12V。若要求放大电路有最大的输出动态范围，则RB应调到（ ）。
A:312KW
B:168KW
C:188KW
D:212KW
答案: 188KW
5、 放大电路及其交、直流负载线如题图所示，则UCC、UCEQ、ICQ值分别为 ( )。
A:
B:
C:
D:
答案:
6、 放大电路及其交、直流负载线如题图所示，已知β = 50，UBE = 0.7V，UCES = 0。则RC、RL、RB值分别为 ( )。
A:
B:
C:
D:
答案:
7、 题图所示为共射放大电路，设基极静态电流IBQ= 20mA，RC= 2kW，RL= 2kW，UCC= 9V，RS= 150W，rbb¢= 0，厄尔利电压|UA|=100V，b=100，C为隔直、耦合电容。则静态工作点UCEQ、源电压放大倍数Aus= Uo / Us 、输入电阻Ri和输出电阻Ro分别为（ ）。
A:
B:
C:
D:
答案:
8、 晶体管电路如题图所示。已知β＝100，UBE ＝﹣0.3V，若偏置电阻RB1开路，则集电极电位UC及晶体管工作状态分别为（ ）。
A:12V 饱和
B: 0V 截止
C:12V 放大
D:0V 饱和
答案: 0V 截止
9、 放大电路及其交、直流负载线如题图所示，则输出动态范围Uopp的值为 ( )。
A:2V
B:4V
C:6V
D:12V
答案: 4V
10、 硅晶体管电路如题图所示。设晶体管的UBE(on) = 0.7V, b = 100。则管子工作在放大状态。
A:正确
B:错误
答案: 错误
分析：因发射结偏压小于0，故管子工作在截止状态。
11、 硅晶体管电路如题图所示。设晶体管的UBE(on) = 0.7V, b = 100。则管子工作在放大状态。
A:正确
B:错误
答案: 正确
分析：通过计算，IB=25uA，IC=2.5mA，UCE=7.5V>0.7V，集电结反偏，故管子工作在放大状态。
12、 放大电路及晶体管三极管的输出特性如题图所示。设UBE(on) ＝0V，各电容对信号视作短路，若电路中加接RL = 2kW的负载，设RB可调节，为得到最大的输出电压振幅值Uom，工作点应选取Q点（）。
A:正确
B:错误
答案: 错误
分析：若工作点选取Q点，因交流负载为1kΩ，则交流负载线与横轴交点横坐标为8V，即交流负载线为3，从图可见Q点并不在交流负载线的中心，故本题的说法错误。
第6周：知识单元三 – 双极型晶体管及其放大电路（3） 双极型晶体管及其放大电路（3）单元测验
1、 电路如题图所示，电容C对信号可视为短路。半导体三极管的b=100，rbb¢= 0，UT= 26mV，基极静态电流由电流源IB提供，设IB= 20mA，RS=0.15kW，RE = RL= 2kW。试计算Au= Uo / Ui。
A:0.925
B:0.875
C:1.36
D:0.987
答案: 0.987
2、 电路如题图所示，电容C对信号可视为短路。半导体三极管的b=100，rbb¢= 0，UT= 26mV，基极静态电流由电流源IB提供，设IB= 20mA，RS=0.15kW，RE = RL= 2kW。试计算Ro。
A:0.15 kW
B:1 kW
C:2 kW
D:0.014 kW
答案: 0.014 kW
3、 在题图所示的共基放大电路中，电容C对信号可视为短路。晶体管的β＝50，rbb¢= 50W，RB1= 30kW，RB2=15kW，UCC=12V，RC=3kW，RE=2kW，RL=3kW。该电路的静态工作点为（ ）。
A:IBQ= 0.07mA, ICQ= 3.58mA, UCEQ= -5.9V
B:IBQ= 0.03mA, ICQ= 1.62mA, UCEQ= 2.9V
C:IBQ= 0.03mA, ICQ= 1.62mA, UCEQ= 3.9V
D:IBQ= 0.03mA, ICQ= 1.62mA, UCEQ= 8.7V
答案: IBQ= 0.03mA, ICQ= 1.62mA, UCEQ= 3.9V
4、 在题图所示的共基放大电路中，电容C对信号可视为短路，晶体管的β＝50，rbb¢= 50W，RB1= 30kW，RB2=15kW，UCC=12V，RC=3kW，RE=2kW，RL=3kW。该电路的增益Au为（ ）。
A:175.6
B:87.8
C:-87.8
D: -175.6
答案: 87.8
5、 在题图所示的共基放大电路中，电容C对信号可视为短路，晶体管的β＝50，rbb¢= 50W，RB1= 30kW，RB2=15kW，UCC=12V，RC=3kW，RE=2kW，RL=3kW。电路的输出电阻Ro为( )。
A:1.5 kW
B:3 kW
C:2 kW
D:6 kW
答案: 3 kW
6、 组合放大电路如题图所示。已知两个晶体管的参数相同：rbb¢= 0，rb¢e=1 kW，β＝50，rce=∞；RC= RL=5kW，RE=1kW，RB= 150kW。该电路的输入电阻Ri为（ ）。
A:22.5kW
B:38.6 kW
C:1 kW
D: 0.5 W
答案: 22.5kW
7、 组合放大电路如题图所示。已知两个晶体管的参数相同：rbb¢= 0，rb¢e=1 kW，β＝50，rce=∞；RC= RL=5kW，RE=1kW，RB= 150kW。该电路的电压增益Au为（ ）。
A:250
B:120
C:-125
D:-120
答案: -120
8、 组合放大电路如题图所示。已知两个晶体管的参数相同：rbb¢= 0，rb¢e=1 kW，β＝50，rce=∞；RC= RL=5kW，RE=1kW，RB= 150kW。该电路的输出电阻Ro为（ ）。
A:1.5kW
B:2.5 kW
C:5kW
D:10kW
答案: 5kW
9、 组合放大电路如图1所示。已知两个晶体管的参数相同：rbb¢= 0，rb¢e=1 kW，β＝50，rce=∞；RC= RL=5kW，RE=1kW，RB= 150kW。该电路的交流通路如图2所示。
图1
图2
A:正确
B:错误
答案: 正确
第7周：知识单元四 – 放大器频率响应 放大器频率响应单元测验
1、
A:B,C,A,D,C,B
B:B,C,A,A,C,C
C:B,A,C,D,C,D
D:A,C,B,D,C,B
答案: B,C,A,D,C,B
2、
A:A,D,A
B:A,D,C
C:B,D,A
D:A,B,C
答案: A,D,A
3、 在图示放大电路中，当增大电容C1，则中频电压放大倍数
_，下限截止频率fL，上限截止频率fH_；当增大电阻Rc则
，fL_，fH；当换用fT高，
相同的晶体管，则
_，fL，fH____。A、增大， B、减小， C、不变
A:CBCACCCCA
B:CBCACBCCA
C:ABCACBCCA
D:BBCACBCCA
答案: CBCACBCCA
4、 已知图（a）所示电路的幅频响应特性如图（b）所示。从括号中选择正确答案，用A、B、C填空。影响fL大小的因素是_，影响fH大小的因素是_。A、晶体管极间电容， B、晶体管的非线性特性， C、耦合电容
A:AB
B:AC
C:CA
D:BA
答案: CA
5、 已知图示电路中晶体管
＝100，rbe＝3.3k
。该放大电路的中频电压放大倍数
约为_（A、50， B、100， C、200）；下限截止频率fL约为_Hz。（A、1， B、10， C、100）；当 Ui＝7mV，f=fL时，Uo约为 ____V（A、0.1， B、0.7， C、1， D、1.4）。
A:CBC
B:ABC
C:ABA
D:ACB
答案: CBC
6、
A:A.1000
B:B.100
C:C.3
D:D.60
答案: A.1000
7、 当信号频率等于放大电路的下限截止频率fL或上限截止频率fH时，放大倍数下降到中频时的0.707倍，此时增益下降（ ）dB。
A:3
B:-3
C:0.707
D:-0.707
答案: 3
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