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第一章 单元测试
1、单选题：
本征硅的费米能级位于：（ ）
选项：
A:
B:略偏向
C:略偏向
D:
答案: 【略偏向
】
2、单选题：
硼掺杂的硅中，下列说法正确的是：（ ）
选项：
A:空穴浓度大于电子浓度
B:电子浓度大于空穴浓度
C:硅的晶体结构将发生改变
D:与磷掺杂硅的导电类型一致
答案: 【空穴浓度大于电子浓度
】
3、多选题：
抑制离子注入工艺中沟道效应的方法有（ ）。
选项：
A:降低离子注入能量
B:衬底表面沉积非晶薄膜
C:升高衬底温度
D:倾斜衬底
答案: 【衬底表面沉积非晶薄膜
;升高衬底温度
;倾斜衬底
】
4、多选题：
制造单晶硅衬底的方法包括（ ）。
选项：
A:直拉法
B:外延生长法
C:区域熔融法
D:氧化还原法
答案: 【直拉法
;区域熔融法
】
5、判断题：
当硅中掺杂浓度越小时，费米能级越靠近Ei。（ ）
选项：
A:错
B:对
答案: 【对】
第二章 单元测试
1、多选题：
对于长沟道MOSFET器件，发生夹断后，下面说法中正确的是（ ）。
选项：
A:Vg继续增加，Id不会继续增大
B:沟道中漏极一侧的电位为0
C:
D:Vg≥Vd+Vth
答案: 【Vg继续增加，Id不会继续增大
;沟道中漏极一侧的电位为0
;Vg≥Vd+Vth
】
2、多选题：
沟道长度缩短有可能对MOSFET器件产生哪些影响（ ）。
选项：
A:阈值电压增大
B:器件的集成度增加
C:器件的漏极电流增大
D:器件的可靠性劣化
答案: 【器件的集成度增加
;器件的漏极电流增大
;器件的可靠性劣化
】
3、单选题：
有关MOSFET器件亚阈值摆幅（S）的说法错误的是（ ）
选项：
A:
B:温度升高，亚阈值摆幅增大
C:亚阈值摆幅的单位是mV
D:
答案: 【亚阈值摆幅的单位是mV
】
4、单选题：
有关MOSFET器件特征长度的说法正确的是（ ）
选项：
A:仅与器件的结构参数有关
B:沟道长度相等的器件，特征长度越小，DIBL越小
C:与器件的沟道长度呈正比
D:栅氧化层介电常数越厚，特征长度越小
答案: 【沟道长度相等的器件，特征长度越小，DIBL越小
】
5、判断题：
MOSFET器件的阈值电压实际上是栅极MOS电容强反型区的起点。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【对】
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