窘缅瀑输胯竟弘氯郡送蒙瓤颇
对应课程:点击查看
起止时间:2020-04-19到2020-07-01
更新状态:已完结
第二部分半导体器件物理基础 第二部分第一次测验
1、 题2-1-1、MOS管一旦出现()现象,此时的MOS管将进入饱和区。
A:夹断
B:反型
C:导电
D:耗尽
答案: 夹断
2、 题2-1-2、 MOS管从不导通到导通过程中,最先出现的是( )。
A:反型
B:夹断
C:耗尽
D:导通
答案: 耗尽
3、 题2-1-3、 在CMOS模拟集成电路设计中,我们一般让MOS管工作在()区。
A:亚阈值区
B:深三极管区
C:饱和区
D:三极管区
答案: 饱和区
4、 题2-1-4、PMOS管的导电沟道中依靠()导电。
A:电子
B:空穴
C:正电荷
D:负电荷
答案: 空穴
5、 题2-1-5、载流子沟道在栅氧层下形成(),源和漏之间“导通”。
A:夹断层
B:反型层
C:导电层
D:耗尽层
答案: 反型层
6、 题2-1-6、下图中的MOS管工作在()区(假定Vth=0.7V)。
A:截止区
B:深三极管区
C:三极管区
D:饱和区
答案: 饱和区
7、 题2-1-7、在NMOS中,若 , 会使阈值电压()。
A:增大
B:不变
C:减小
D:可大可小
答案: 增大
8、 题2-1-8、如果MOS管的栅源过驱动电压给定,L越(),输出电流越理想。
A:大
B:小
C:近似于W
D:精确
答案: 大
9、 题2-1-9、()表征了MOS器件的灵敏度,即检测输入电压转换为输出电流的能力。
A:
B:
C:
D:
答案:
10、 题2-1-10、MOS管的小信号输出电阻 是由MOS管的()效应产生的。
A:体
B:衬偏
C:沟长调制
D:亚阈值导通
答案: 沟长调制
第二部分半导体器件物理基础 第二部分第二次测试
1、 题2-2-1、MOS管中相对最大的寄生电容是()。
A:栅极氧化层电容
B:耗尽层电容
C:源漏交叠电容
D:结电容
答案: 栅极氧化层电容
2、 题2-2-2、工作在()区的MOS管,其跨导是恒定值。
A:截止
B:三极管
C:深三极管
D:饱和
答案: 饱和
3、 题2-2-3、 下列说法正确的是( )。
A:MOS管的源漏对称,所以器CGS和CGD相同。
B:MOS器件中存在多个寄生电容,在不同频率下,器件的工作特性有较大差异。
C:MOS管的栅极和源极电容值,与MOS管工作状态无关。
D:MOS中最大的寄生电容是栅漏电容。
答案: MOS器件中存在多个寄生电容,在不同频率下,器件的工作特性有较大差异。
4、 题2-2-4、 一个MOS管的本征增益表述错误的是( )。
A:
B:在一定程度上,与该MOS管的过驱动电压成反比
C:与MOS尺寸无关
D:与MOS管电流无关
答案: 与MOS管电流无关
5、 题2-2-5、下图中的MOS管工作在()区(假定Vth=0.7V)。
A:亚阈值区
B:深三极管区
C:三极管区
D:饱和区
答案: 饱和区
6、 题2-2-6、工作在饱和区的MOS管,可以被看作是一个( )。
A:恒压源
B:电压控制电流源
C:恒流源
D:电流控制电压源
答案: 电压控制电流源
7、 题2-2-7、MOS管的小信号模型中,体现沟长调制效应的参数是()。
A:
B:
上方为免费预览版答案,如需购买完整答案,请点击下方红字:
为了方便下次阅读,建议在浏览器添加书签收藏本网页
添加书签方法:
1.电脑按键盘的Ctrl键+D键即可收藏本网页
2.手机浏览器可以添加书签收藏本网页
点击浏览器底部菜单-【添加书签】-收藏本网页
点击浏览器底部菜单-【书签/历史】-可查看本网页
获取更多慕课答案,欢迎在浏览器访问我们的网站:
http://mooc.mengmianren.com
注:请切换至英文输入法输入域名,如果没有成功进入网站,请输入完整域名:http://mooc.mengmianren.com/
我们的公众号
打开手机微信,扫一扫下方二维码,关注微信公众号:萌面人APP
本公众号可查看各种网课答案,还可免费查看大学教材答案
点击这里,可查看公众号功能介绍
APP下载
APP功能说明
1.可查看各种网课答案
点击【萌面人官网】,可查看知到智慧树,超星尔雅学习通,学堂在线等网课答案
点击【中国大学慕课答案】,可查看mooc慕课答案
2.可一键领取淘宝/天猫/京东/拼多多无门槛优惠券
如图所示,点击对应图标即可领取淘宝/天猫/京东/拼多多无门槛优惠券
道剂隧洪备闭到丰聚谴唉试惨