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起止时间:2020-04-19到2020-07-01
更新状态:已完结
第二部分半导体器件物理基础 第二部分第一次测验
1、 题2-1-1、MOS管一旦出现（）现象，此时的MOS管将进入饱和区。
A:夹断
B:反型
C:导电
D:耗尽
答案: 夹断
2、 题2-1-2、 MOS管从不导通到导通过程中，最先出现的是（ ）。
A:反型
B:夹断
C:耗尽
D:导通
答案: 耗尽
3、 题2-1-3、 在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在（）区。
A:亚阈值区
B:深三极管区
C:饱和区
D:三极管区
答案: 饱和区
4、 题2-1-4、PMOS管的导电沟道中依靠（）导电。
A:电子
B:空穴
C:正电荷
D:负电荷
答案: 空穴
5、 题2-1-5、载流子沟道在栅氧层下形成（），源和漏之间“导通”。
A:夹断层
B:反型层
C:导电层
D:耗尽层
答案: 反型层
6、 题2-1-6、下图中的MOS管工作在（）区（假定Vth=0.7V）。
A:截止区
B:深三极管区
C:三极管区
D:饱和区
答案: 饱和区
7、 题2-1-7、在NMOS中，若
, 会使阈值电压（）。
A:增大
B:不变
C:减小
D:可大可小
答案: 增大
8、 题2-1-8、如果MOS管的栅源过驱动电压给定，L越（），输出电流越理想。
A:大
B:小
C:近似于W
D:精确
答案: 大
9、 题2-1-9、（）表征了MOS器件的灵敏度，即检测输入电压转换为输出电流的能力。
A:
B:
C:
D:
答案:
10、 题2-1-10、MOS管的小信号输出电阻
是由MOS管的（）效应产生的。
A:体
B:衬偏
C:沟长调制
D:亚阈值导通
答案: 沟长调制
第二部分半导体器件物理基础 第二部分第二次测试
1、 题2-2-1、MOS管中相对最大的寄生电容是（）。
A:栅极氧化层电容
B:耗尽层电容
C:源漏交叠电容
D:结电容
答案: 栅极氧化层电容
2、 题2-2-2、工作在（）区的MOS管，其跨导是恒定值。
A:截止
B:三极管
C:深三极管
D:饱和
答案: 饱和
3、 题2-2-3、 下列说法正确的是（ ）。
A:MOS管的源漏对称，所以器CGS和CGD相同。
B:MOS器件中存在多个寄生电容，在不同频率下，器件的工作特性有较大差异。
C:MOS管的栅极和源极电容值，与MOS管工作状态无关。
D:MOS中最大的寄生电容是栅漏电容。
答案: MOS器件中存在多个寄生电容，在不同频率下，器件的工作特性有较大差异。
4、 题2-2-4、 一个MOS管的本征增益表述错误的是（ ）。
A:
B:在一定程度上，与该MOS管的过驱动电压成反比
C:与MOS尺寸无关
D:与MOS管电流无关
答案: 与MOS管电流无关
5、 题2-2-5、下图中的MOS管工作在（）区（假定Vth=0.7V）。
A:亚阈值区
B:深三极管区
C:三极管区
D:饱和区
答案: 饱和区
6、 题2-2-6、工作在饱和区的MOS管，可以被看作是一个（ ）。
A:恒压源
B:电压控制电流源
C:恒流源
D:电流控制电压源
答案: 电压控制电流源
7、 题2-2-7、MOS管的小信号模型中，体现沟长调制效应的参数是（）。
A:
B:
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