测量某BJT各电极对地电压值如下,,则该晶体管工作在( )。 答案: 饱和区

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测量某BJT各电极对地电压值如下,测量某BJT各电极对地电压值如下,,则该晶体管工作在( )。 答案: 饱和区第1张,则该晶体管工作在( )。

答案: 饱和区

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相关试题

如图所示电路中,某放大电路中的器件(三极管或场效应管)三个电极A B C的电流用万用表直流电流档测得_=2mA,_B=0.02mA,_C=-2.02mA,则此器件的类型是()测量某BJT各电极对地电压值如下,,则该晶体管工作在( )。 答案: 饱和区第2张

答案: PNP

测得某放大器中BJT的三个电极

3的对地电位分别为V1=9V,V2=6V,V3=6.7V,则此BJT器件的类型为()

答案: NPN

下列对BJT小信号模型描述正确的语句有()。

答案: 小信号模型使用的前提之一包括必须有合理的偏置设计使得BJT器件工作在放大模式;
电路工作点确定后,小信号模型的参数也就确定了

如图(a)所示的共射放大电路,加入射极反馈电阻RE后变为图(b),电路性能出现了怎样的变化?测量某BJT各电极对地电压值如下,,则该晶体管工作在( )。 答案: 饱和区第3张测量某BJT各电极对地电压值如下,,则该晶体管工作在( )。 答案: 饱和区第4张 (a) (b)

答案: 增益变小;
线性输入范围变大;
输入电阻变大

晶体三极管放大器直流偏置参数一般包括( )。

答案: 测量某BJT各电极对地电压值如下,,则该晶体管工作在( )。 答案: 饱和区第5张;
测量某BJT各电极对地电压值如下,,则该晶体管工作在( )。 答案: 饱和区第6张;
测量某BJT各电极对地电压值如下,,则该晶体管工作在( )。 答案: 饱和区第7张;
测量某BJT各电极对地电压值如下,,则该晶体管工作在( )。 答案: 饱和区第8张

CB放大器性能特征有( )。

答案: 输入电阻极低,不利于电压放大;
输出电阻较高,不利于电压放大;
电流增益小于1但接近于1,可作电流跟随器

CC放大器性能特征有( )。

答案: 输入电阻高;
输出电阻极低;
电压增益小于1,但接近于1;
电压跟随器,适合作放大器的缓冲级

放大电路如图所示,则下面的说法正确的是()测量某BJT各电极对地电压值如下,,则该晶体管工作在( )。 答案: 饱和区第9张

答案: 该电路为共集电极放大器(射极跟随器);
该组态放大器输入电阻较高;
输出电阻较低;
电压增益小于1接近于1

放大器电路如图所示,如果电容E 失效(断开),请问对放大 器输入电阻和电压增益有何影响( )测量某BJT各电极对地电压值如下,,则该晶体管工作在( )。 答案: 饱和区第10张

答案: 输入电阻增大;
电压增益 减小

共集电极放大电路的特点是:输入电阻Ri较高

答案: 正确

共集电极放大电路的特点是:输出电阻Ro较高

答案: 错误

共集电极放大电路的电压放大倍数Av约为1V/V。

答案: 正确

由于BJT器件在放大模式下的IB电流不够小,因此其分压式偏置电路的分析比FET要复杂得多,尤其是基极电压VB不能直接靠分压器分压求解。

答案: 正确

工程估算法在计算BJT分压式偏置电路工作点时,需要满足一定的工程条件才能使用,该工程条件实际上隐含了“偏置电阻取值使得IB电流足够小,从而可以忽略其对分压器电流的分流”这一重要前提。

答案: 正确

晶体管三种基本组态放大电路中,共基组态输入电阻最低,输出电阻最低。

答案: 错误

NPN型的BJT和NMOS器件的载流子均只有1种

答案: 错误

某个以BJT为核心器件的电路,其输入输出传输特性如图所示,若需要该电路实现数字逻辑电路功能,应使其核心器件工作在( )区域。测量某BJT各电极对地电压值如下,,则该晶体管工作在( )。 答案: 饱和区第11张

答案: OX和YZ段

某个以BJT为核心器件的电路,其输入输出传输特性如图所示,若需要该电路实现信号放大功能,应使其核心器件工作在( )区域。测量某BJT各电极对地电压值如下,,则该晶体管工作在( )。 答案: 饱和区第11张

答案: XY段

BJT三种基本放大器结构中,能用作电压缓冲级的是( )放大器。

答案: 共集;
CC

BJT三种基本放大器结构中,能用做电流缓冲级的是( )放大器。

答案: 共基;
CB

放大电路如图所示,则下面的说法正确的是()测量某BJT各电极对地电压值如下,,则该晶体管工作在( )。 答案: 饱和区第9张

答案: 该电路为共集电极放大器(射极跟随器);
该组态放大器输入电阻较高;
输出电阻较低;
电压增益小于1接近于1

放大器电路如图所示,如果电容测量某BJT各电极对地电压值如下,,则该晶体管工作在( )。 答案: 饱和区第14张失效(断开),请问对放大器输入电阻和电压增益有何影响( )测量某BJT各电极对地电压值如下,,则该晶体管工作在( )。 答案: 饱和区第10张

答案: 输入电阻增大;
电压增益 减小

NPN器件工作在放大区时有测量某BJT各电极对地电压值如下,,则该晶体管工作在( )。 答案: 饱和区第16张,PNP器件工作在放大区时有同样的结论。

答案: 错误

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