场效应管工作时,参与导电的载流子为()。 答案: 多子

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场效应管工作时,参与导电的载流子为()。

答案: 多子

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相关试题

MOSFET中的导电沟道是指其()?

答案: 反型层

NEMOSFET饱和区的工作条件为场效应管工作时,参与导电的载流子为()。 答案: 多子第1张 场效应管工作时,参与导电的载流子为()。 答案: 多子第2张场效应管工作时,参与导电的载流子为()。 答案: 多子第3张 场效应管工作时,参与导电的载流子为()。 答案: 多子第4张

答案: >, >

某放大电路在负载开路时,测得输出电压为5V,在输入电压不变的情况下接入3 kΩ的负载电阻,输出电压下降到3V,说明该放大电路的输出电阻为( )kΩ 。

答案: 2

在CMOS集成电路设计中,NMOS的衬底应接在电路的_电位,PMOS的衬底应接在电路的_电位。

答案: 最低,最高

电路如图所示,要使得晶体管工作在饱和区,且有ID=0.4mA,VD=0.5V;已知该NMOS晶体管的Vt=0.7V,L=1μm,W=32μm,场效应管工作时,参与导电的载流子为()。 答案: 多子第5张,忽略沟道长度调制效应,则电阻场效应管工作时,参与导电的载流子为()。 答案: 多子第6张=( )kΩ,场效应管工作时,参与导电的载流子为()。 答案: 多子第7张=( )kΩ。场效应管工作时,参与导电的载流子为()。 答案: 多子第8张

答案: 3.25, 5

已知某NMOS器件的Vt=1V,场效应管工作时,参与导电的载流子为()。 答案: 多子第9张场效应管工作时,参与导电的载流子为()。 答案: 多子第10张=50V,且工作点电流场效应管工作时,参与导电的载流子为()。 答案: 多子第11张=0.5mA,则其小信号模型参数场效应管工作时,参与导电的载流子为()。 答案: 多子第12张=( )mA/V,场效应管工作时,参与导电的载流子为()。 答案: 多子第13张=( )kΩ。

答案: 1,100

某放大器的电压增益为40dB,因为某种原因增益扩大了10倍,则现在的增益大小为()。

答案: 1000V/V;
60dB

已知某N沟道增强型MOS场效应管的场效应管工作时,参与导电的载流子为()。 答案: 多子第14张。下表给出了四种状态下场效应管工作时,参与导电的载流子为()。 答案: 多子第15张场效应管工作时,参与导电的载流子为()。 答案: 多子第16张的值,试判断各状态下器件的工作状态。场效应管工作时,参与导电的载流子为()。 答案: 多子第17张

答案: 状态1:截止区;状态2:饱和区;
状态3:变阻区;状态4:饱和区

场效应管工作时,参与导电的载流子为()。 答案: 多子第18张时,能够导通的MOS管为( )。

答案: NDMOSFET;
PDMOSFET

若某放大器的输入信号为电压信号,输出信号为电流信号,则以下描述正确的有( )。

答案: 该放大器为互导放大器;
理想情况下该放大器输入电阻极高;
理想情况下该放大器输出电阻极高

MOSFET做放大器,要想正常工作只需用电路提供合理的偏置使其工作在饱和区即可。

答案: 错误

假设NEMOSFET已工作在饱和区,若场效应管工作时,参与导电的载流子为()。 答案: 多子第3张继续增大时,沟道夹断点向漏极移动。

答案: 错误

在画放大器直流通路时,电容应短路,电感应开路。

答案: 错误

如图所示电路,参考CS放大器传输特性曲线,随着场效应管工作时,参与导电的载流子为()。 答案: 多子第20张升高,MOSFET从饱和区变化到变阻区,临界条件是输入电压比输出电压低场效应管工作时,参与导电的载流子为()。 答案: 多子第2张场效应管工作时,参与导电的载流子为()。 答案: 多子第22张

答案: 错误

MOSFET源极漏极间的长度L越大,沟道长度调制效应越明显。

答案: 错误

某一电压放大器的幅频特性如图所示,其中频增益为__ __,上限截止频率为_Hz,下限截止频率为_Hz。场效应管工作时,参与导电的载流子为()。 答案: 多子第23张

答案: 20dB;场效应管工作时,参与导电的载流子为()。 答案: 多子第24张;100;
10;场效应管工作时,参与导电的载流子为()。 答案: 多子第24张;100;
20dB;100000;100

MOSFET中的导电沟道是指其()。

答案: 反型层

某个以MOS为核心器件的电路,其输入输出传输特性如图所示,若需要该电路实现放大器功能,应使其核心器件工作在( )区域。场效应管工作时,参与导电的载流子为()。 答案: 多子第26张

答案: AB段

某个以MOS为核心器件的电路,其输入输出传输特性如图所示,若需要该电路实现数字逻辑电路功能,应使其核心器件工作在( )区域。场效应管工作时,参与导电的载流子为()。 答案: 多子第26张

答案: OA和BC段

已知MOSFET构成的放大器直流通路和器件物理参数,为判断分该器件是否工作在饱和区,除漏极工作电流场效应管工作时,参与导电的载流子为()。 答案: 多子第28张外,直流工作点参数还包括哪些?

答案: 场效应管工作时,参与导电的载流子为()。 答案: 多子第29张;
场效应管工作时,参与导电的载流子为()。 答案: 多子第30张

在MOS的交流小信号等效电路中,场效应管工作时,参与导电的载流子为()。 答案: 多子第31张是( )。

答案: 器件互导参数;
描述器件在饱和区正向受控作用的关键参数;
描述器件输入输出信号主要控制关系的参数

放大器的直流偏置电路设计目的是( )。

答案: 设置合适的工作点位置,以保证较好的放大效果;
设置合适的交流输入输出范围;
设置稳定的直流工作点

在画放大器直流通路时,所有交流信号源都应短路。

答案: 错误

在画电路的交流通路时,所有外接信号源都应置零处理。

答案: 错误

第3次半导体器件及应用——场效应管2 第3次测验

CD放大器具有较( )的输入电阻和较( )的输出电阻。

答案: 高,低

CG放大器具有较( )的输入电阻和较( )的输出电阻。

答案: 低,高

在下图中如果输入输出均有电容耦合,则将RG的阻值由10MΩ替换为1MΩ时,栅极直流电压将会(),漏极直流电流将会(),输入电阻将会()。场效应管工作时,参与导电的载流子为()。 答案: 多子第32张

答案: 不变 不变 减小

电路如图所示,如果电容C2开路,则MOSFET的漏极直流电压将会(),漏极交流电压将会(),增益将会()。场效应管工作时,参与导电的载流子为()。 答案: 多子第33张

答案: 不变 增大 增大

I=0.5mA,Vt=1.5V,场效应管工作时,参与导电的载流子为()。 答案: 多子第9张,VA足够大。输入输出信号均通过电容耦合进行传输(注意图中未画出电容),要实现增益为15倍的放大电路,则RD=()kΩ。场效应管工作时,参与导电的载流子为()。 答案: 多子第35张

答案: 15

VDD=VSS=10V,I=0.5mA,RG=4.7MΩ,RD=15kΩ,Vt=1.5V,场效应管工作时,参与导电的载流子为()。 答案: 多子第9张,VA足够大。输入输出信号均通过电容耦合进行传输(注意图中未画出电容),若输入信号由于某种原因,变为了原来的3倍(0.2V→0.6V),则我们改变电路结构由图a变为图b,以保持输出信号大小不变,则RS=()kΩ。场效应管工作时,参与导电的载流子为()。 答案: 多子第37张 场效应管工作时,参与导电的载流子为()。 答案: 多子第38张 (a) (b)

答案: 2

用作电压放大器时,CS放大器不合适的参数为( )。

答案: 较高的输出电阻

以下哪个MOS放大器组态结构,最适合用在电压信号处理系统的最后一级?

答案: CD组态

CG放大器的性能描述合理的是( )。

答案: 可用作电流跟随器

CS放大器中引入源极电阻RS,其作用有( )。

答案: 稳定静态工作点;
控制器件输入信号vgs的大小,避免因vi过大产生非线性失真;
降低电压增益

CD放大器的性能特征有( )。

答案: 可作电压跟随器使用;
可用于多级电路中做缓冲器,进行阻抗变换

CS CG和CD三种组态中,最适合做电压放大器的还是CS放大器。

答案: 正确

CG放大器因其输入电阻过小,因此没什么用处。

答案: 错误

CD放大器因为源极输出信号几乎与栅极输入信号变化一致,因此被称为“源极跟随器”。

答案: 正确

源极上接有RS的CS放大器以牺牲增益为代价,换取放大器线性输入范围的扩展,因此这个RS越大越好。

答案: 错误

CS放大器的交流输出摆幅主要由工作点位置决定,跟输入信号大小无关。

答案: 错误

第4次 半导体器件及应用——晶体三极管 第4次测验

发射结(EBJ)正偏,集电结(CBJ)反偏时,BJT工作在()模式。

答案: 放大

集电结由于轻掺杂,因此其正向导通电压与发射结不相同,则工程上一般对NPN型的三极管取VBC(on)一般大小为()V。(提示:注意场效应管工作时,参与导电的载流子为()。 答案: 多子第39张

答案: 0.4

在放大模式下,集电极电流与基极电流之间的电流增益可表示为( )

答案: β

设图中三极管为硅管,β=50,VBE(on)=0.7V,试通过估算判断它的静态工作点位于哪个区。()场效应管工作时,参与导电的载流子为()。 答案: 多子第40张

答案: 放大区

试判断如图所示电路的三极管的工作状态,已知β=100,VBE(on)=0.7V。场效应管工作时,参与导电的载流子为()。 答案: 多子第41张

答案: 放大区

晶体三极管工作在放大状态时,发射结加电压,集电结加电压。

答案: 正偏 反偏

对于NPN型BJT组成的基本共射放大电路,若产生饱和失真,则输出电压 失真;若产生截止失真,则输出电压 失真。(负峰 正峰)

答案: 负峰 正峰;

测量某BJT各电极对地电压值如下,场效应管工作时,参与导电的载流子为()。 答案: 多子第42张,则该晶体管工作在( )。

答案: 饱和区

如图所示电路中,某放大电路中的器件(三极管或场效应管)三个电极A B C的电流用万用表直流电流档测得_=2mA,_B=0.02mA,_C=-2.02mA,则此器件的类型是()场效应管工作时,参与导电的载流子为()。 答案: 多子第43张

答案: PNP

测得某放大器中BJT的三个电极

3的对地电位分别为V1=9V,V2=6V,V3=6.7V,则此BJT器件的类型为()

答案: NPN

下列对BJT小信号模型描述正确的语句有()。

答案: 小信号模型使用的前提之一包括必须有合理的偏置设计使得BJT器件工作在放大模式;
电路工作点确定后,小信号模型的参数也就确定了

如图(a)所示的共射放大电路,加入射极反馈电阻RE后变为图(b),电路性能出现了怎样的变化?场效应管工作时,参与导电的载流子为()。 答案: 多子第44张场效应管工作时,参与导电的载流子为()。 答案: 多子第45张 (a) (b)

答案: 增益变小;
线性输入范围变大;
输入电阻变大

晶体三极管放大器直流偏置参数一般包括( )。

答案: 场效应管工作时,参与导电的载流子为()。 答案: 多子第46张;
场效应管工作时,参与导电的载流子为()。 答案: 多子第47张;
场效应管工作时,参与导电的载流子为()。 答案: 多子第48张;
场效应管工作时,参与导电的载流子为()。 答案: 多子第49张

CB放大器性能特征有( )。

答案: 输入电阻极低,不利于电压放大;
输出电阻较高,不利于电压放大;
电流增益小于1但接近于1,可作电流跟随器

CC放大器性能特征有( )。

答案: 输入电阻高;
输出电阻极低;
电压增益小于1,但接近于1;
电压跟随器,适合作放大器的缓冲级

放大电路如图所示,则下面的说法正确的是()场效应管工作时,参与导电的载流子为()。 答案: 多子第50张

答案: 该电路为共集电极放大器(射极跟随器);
该组态放大器输入电阻较高;
输出电阻较低;
电压增益小于1接近于1

放大器电路如图所示,如果电容E 失效(断开),请问对放大 器输入电阻和电压增益有何影响( )场效应管工作时,参与导电的载流子为()。 答案: 多子第51张

答案: 输入电阻增大;
电压增益 减小

共集电极放大电路的特点是:输入电阻Ri较高

答案: 正确

共集电极放大电路的特点是:输出电阻Ro较高

答案: 错误

共集电极放大电路的电压放大倍数Av约为1V/V。

答案: 正确

由于BJT器件在放大模式下的IB电流不够小,因此其分压式偏置电路的分析比FET要复杂得多,尤其是基极电压VB不能直接靠分压器分压求解。

答案: 正确

工程估算法在计算BJT分压式偏置电路工作点时,需要满足一定的工程条件才能使用,该工程条件实际上隐含了“偏置电阻取值使得IB电流足够小,从而可以忽略其对分压器电流的分流”这一重要前提。

答案: 正确

晶体管三种基本组态放大电路中,共基组态输入电阻最低,输出电阻最低。

答案: 错误

NPN型的BJT和NMOS器件的载流子均只有1种

答案: 错误

某个以BJT为核心器件的电路,其输入输出传输特性如图所示,若需要该电路实现数字逻辑电路功能,应使其核心器件工作在( )区域。场效应管工作时,参与导电的载流子为()。 答案: 多子第52张

答案: OX和YZ段

某个以BJT为核心器件的电路,其输入输出传输特性如图所示,若需要该电路实现信号放大功能,应使其核心器件工作在( )区域。场效应管工作时,参与导电的载流子为()。 答案: 多子第52张

答案: XY段

BJT三种基本放大器结构中,能用作电压缓冲级的是( )放大器。

答案: 共集;
CC

BJT三种基本放大器结构中,能用做电流缓冲级的是( )放大器。

答案: 共基;
CB

放大电路如图所示,则下面的说法正确的是()场效应管工作时,参与导电的载流子为()。 答案: 多子第50张

答案: 该电路为共集电极放大器(射极跟随器);
该组态放大器输入电阻较高;
输出电阻较低;
电压增益小于1接近于1

放大器电路如图所示,如果电容场效应管工作时,参与导电的载流子为()。 答案: 多子第55张失效(断开),请问对放大器输入电阻和电压增益有何影响( )场效应管工作时,参与导电的载流子为()。 答案: 多子第51张

答案: 输入电阻增大;
电压增益 减小

NPN器件工作在放大区时有场效应管工作时,参与导电的载流子为()。 答案: 多子第57张,PNP器件工作在放大区时有同样的结论。

答案: 错误

数据来源:网课题库

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