2020春热处理原理与工艺（熊志平）(北京理工大学)1450263180 中国大学MOOC答案100分完整版

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第一章 固态相变特点

第一章固态相变特点单元测验

1、单选题：
半共格界面上两相原子错配度的值为‎‍‎

A:  δ<0.05  
B: 0.05<δ<0.25
C: 0.25<δ<0.5
D:  0.5<δ
答案:  0.05<δ<0.25

2、单选题：
以下说法中正确的是‌‌‍‌

A: 扩散型相变往往无外形变化
B: 扩散型相变往往有外形变化
C: 扩散型相变往往会在表面出现浮凸
D: 非扩散型相变往往无外形变化
答案:  扩散型相变往往无外形变化

3、单选题：
以下关于扩散型相变说法错误的是‎‍‎

A: 加热过程发生的相变，随相变温度的升高，相变驱动力增大
B: 加热过程发生的相变，随相变温度的升高，原子扩散系数增大
C: 冷却过程发生的相变，随相变温度的降低，相变驱动力增大
D: 冷却过程发生的相变，随相变温度的降低，原子扩散系数增大
答案:  冷却过程发生的相变，随相变温度的降低，原子扩散系数增大

4、多选题：
以下哪些是固态相变中可能发生的变化​‍​

A: 晶体结构变化
B: 原子种类变化
C: 化学成分变化
D: 有序化程度变化
答案:  晶体结构变化;
化学成分变化;
有序化程度变化

5、多选题：
以下哪些属于非扩散型相变特点‍‍‍

A: 新相与母相成分相同
B: 新相与母相之间存在一定晶体学位向关系
C: 相变过程无外形变化
D: 相界面移动速度极快
答案:  新相与母相成分相同;
新相与母相之间存在一定晶体学位向关系;
相界面移动速度极快

6、多选题：
固态相变特点的特点包括哪些‏​‏

A: 存在相界面
B: 受晶体缺陷的影响
C: 存在一定的界面能
D: 具有一定位向关系
答案:  存在相界面;
受晶体缺陷的影响;
存在一定的界面能;
具有一定位向关系

7、判断题：
空位，晶界属于晶体缺陷，因此不利于固态相变的进行‎‍‎

A: 正确
B: 错误
答案:  错误

8、判断题：
对于冷却时发生的扩散型相变，在较高的温度下，随着温度的降低，过冷度增大，新相的长大速度提高‌‏‌

A: 正确
B: 错误
答案:  正确

9、判断题：
除调幅分解以外，固态相变过程一般都包括形核和长大两个过程‍‎‍

A: 正确
B: 错误
答案:  正确

第一章固态相变特点单元测验（HIT）

1、单选题：
半共格界面上两相原子错配度的值为​

A: δ<0.05
B: 0.05<δ<0.25
C: 0.25<δ<0.5
D: 0.5<δ
答案:  0.05<δ<0.25

2、单选题：
以下关于扩散型相变说法错误的是‍

A: 加热过程发生的相变，随相变温度的升高，相变驱动力增大
B: 加热过程发生的相变，随相变温度的升高，原子扩散系数增大
C: 冷却过程发生的相变，随相变温度的降低，相变驱动力增大
D: 冷却过程发生的相变，随相变温度的降低，原子扩散系数增大
答案:  冷却过程发生的相变，随相变温度的降低，原子扩散系数增大

3、单选题：
以下说法中正确的是‍

A: 扩散型相变往往无外形变化
B: 扩散型相变往往有外形变化
C: 扩散型相变往往会在表面出现浮凸
D: 非扩散型相变往往无外形变化
答案:  扩散型相变往往无外形变化

4、多选题：
以下哪些是固态相变中可能发生的变化‌

A: 晶体结构变化
B: 原子种类变化
C: 化学成分变化
D: 有序化程度变化
答案:  晶体结构变化 ;
化学成分变化 ;
有序化程度变化

5、多选题：
以下哪些属于非扩散型相变特点‏

A:  新相与母相成分相同
B:  新相与母相之间存在一定晶体学位向关系
C:  相变过程无外形变化
D: 相界面移动速度极快
答案:   新相与母相成分相同 ;
 新相与母相之间存在一定晶体学位向关系;
相界面移动速度极快

6、判断题：
空位，晶界属于晶体缺陷，因此不利于固态相变的进行‌‌‌

A: 正确
B: 错误
答案:  错误

7、判断题：
对于冷却时发生的扩散型相变，在较高的温度下，随着温度的降低，过冷度增大，新相的长大速度提高‎

A: 正确
B: 错误
答案:  正确

8、判断题：
根据相变过程中的原子迁移情况，可将金属固态相变分为扩散型相变和非扩散型相变‎

A: 正确
B: 错误
答案:  正确

9、判断题：
对于加热过程发生的相变，随温度的升高，新相长大速度提高​

A: 正确
B: 错误
答案:  正确

10、判断题：
对于冷却过程发生的相变，随温度的降低，新相的长大速度提高‍

A: 正确
B: 错误
答案:  错误

第二章 奥氏体转变

第二章奥氏体转变单元测验

1、单选题：
在奥氏体的等温形成过程中，随着相变温度升高，下列说法错误的是‌‏‌

A: 随相变温度升高，相变驱动力增大，形核功（W）减小，形核率增大
B: 随相变温度升高，原子扩散系数增大，扩散速度提高，形核率增大
C: 随相变温度升高，Cγ-α与Cα-γ之差减小，奥氏体形核需要的碳浓度起伏减小，形核率增大
D: 随相变温度升高，Cγ-α与Cα-γ之差减小，因此碳浓度差减小，形核率减小
答案:  随相变温度升高，Cγ-α与Cα-γ之差减小，因此碳浓度差减小，形核率减小

2、单选题：
在奥氏体等温形成过程中，下列关于加热温度的影响说法错误的是‏‎‏

A: 随加热温度的升高，相变驱动力增大，碳原子扩散系数增大，形核率和长大速率提高，奥氏体形成速度提高
B: 随奥氏体形成温度提高，转变的孕育期缩短，转变完成需要的时间缩短
C: 随奥氏体形成温度提高，剩余渗碳体量减小，奥氏体平均碳含量升高
D: 随奥氏体形成温度提高，形核率的增长速率高于长大速度的增长速率，奥氏体的起始晶粒度下降
答案:  随奥氏体形成温度提高，剩余渗碳体量减小，奥氏体平均碳含量升高

3、单选题：
‍奥氏体最大含碳量的质量百分比为‍‍‏‍

A: 20%
B: 0.77%  
C: 2.11%
D: 0.0218%
答案:  2.11%

4、多选题：
奥氏体的形成过程包括‏

A: 奥氏体的形核
B: 奥氏体晶核长大
C: 渗碳体的形成
D: 奥氏体均匀化
答案:  奥氏体的形核;
奥氏体晶核长大;
奥氏体均匀化

5、多选题：
在奥氏体等温形成过程中，以下说法中正确的是‍

A: 随相变温度升高，碳在奥氏体中的扩散系数增大
B: 随着相变温度升高，碳在奥氏体中的浓度梯度增大
C: 由于奥氏体与铁素体之间的浓度差小于奥氏体与渗碳体之间的浓度差，因此奥氏体在铁素体中的长大速度大
D: 奥氏体在铁素体中长大速度远大于向渗碳体中长大速度，因此，即使铁素体体积含量更高，往往也会有渗碳体剩余
答案:  随相变温度升高，碳在奥氏体中的扩散系数增大;
随着相变温度升高，碳在奥氏体中的浓度梯度增大;
由于奥氏体与铁素体之间的浓度差小于奥氏体与渗碳体之间的浓度差，因此奥氏体在铁素体中的长大速度大;
奥氏体在铁素体中长大速度远大于向渗碳体中长大速度，因此，即使铁素体体积含量更高，往往也会有渗碳体剩余

6、多选题：
下列说法中正确的是‍

A: 碳化物越细小，相界面增多，奥氏体形核率越高
B: 碳化物越细小，奥氏体中碳浓度梯度越大，而扩散距离减小，奥氏体长大速度增大
C: 强碳化物形成元素会降低碳在奥氏体中的扩散速度，阻碍奥氏体形成
D: 合金元素影响碳化物的稳定性和碳在奥氏体中的扩散系数，同时影响碳化物溶解和奥氏体均匀化速度
答案:  碳化物越细小，相界面增多，奥氏体形核率越高;
碳化物越细小，奥氏体中碳浓度梯度越大，而扩散距离减小，奥氏体长大速度增大;
强碳化物形成元素会降低碳在奥氏体中的扩散速度，阻碍奥氏体形成;
合金元素影响碳化物的稳定性和碳在奥氏体中的扩散系数，同时影响碳化物溶解和奥氏体均匀化速度

7、判断题：
起始晶粒度是指奥氏体刚形成完成时的晶粒大小，而实际晶粒度是指在某一加热条件下所得到的实际奥氏体晶粒大小​

A: 正确
B: 错误
答案:  正确

8、判断题：
奥氏体只在铁素体和渗碳体的相界面处形核​

A: 正确
B: 错误
答案:  错误

9、判断题：
‎‍在珠光体向奥氏体转变的过程中，碳原子在奥氏体中扩散，也在铁素体中扩散，而决定了奥氏体长大速度的主要是其在奥氏体中扩散的速度‍

A: 正确
B: 错误
答案:  正确

第二章奥氏体转变单元测验（HIT）

1、单选题：
在奥氏体的等温形成过程中，随着相变温度升高，下列说法错误的是‍

A: 随相变温度升高，相变驱动力增大，形核功（W）减小，形核率增大
B: 随相变温度升高，原子扩散系数增大，扩散速度提高，形核率增大
C: 随相变温度升高，Cγ-α与Cα-γ之差减小，奥氏体形核需要的碳浓度起伏减小，形核率增大