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标签:L是器件的沟道长度,W是器件的宽度;tox是器件栅氧化层的厚度,由工艺决定;一般所说的nm工艺,其中的nm是指器件的最小沟道长度L、如果一个电路的最高电压是VDD,最低电压是VSS,那么NMOS器件的衬底应该接VDD
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知到智慧树 芯片基础–模拟集成电路设计 答案满分完整版章节测试
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