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第一章 单元测试
1、 按材料的化学组成（或基本组成）分类，可以分为（ ）。
A:金属材料
B:高分子材料
C:无机非金属材料
D:复合材料
答案: 金属材料
高分子材料
无机非金属材料
复合材料
2、 按材料尺寸及形态分类，可以分为（ ）。
A:零维（纳米）材料
B:一维（纤维）材料
C:二维（薄膜）材料
D:三维（块体）材料
答案: 零维（纳米）材料
一维（纤维）材料
二维（薄膜）材料
三维（块体）材料
3、 主要用于各种现代工业及尖端科学技术领域的高性能特种陶瓷包括（ ）。
A:结构陶瓷
B:功能陶瓷
C:日用陶瓷
D:复合材料
答案: 结构陶瓷
功能陶瓷
4、 半导体材料按结构可分为（ ）。
A:单晶态
B:多晶态
C:非晶态
D:准晶态
答案: 单晶态
多晶态
非晶态
5、 多孔材料共同持点是（ ）。
A:密度小
B:孔隙率高
C:比表面积大
D:对气体有选择性透过作用
答案: 密度小
孔隙率高
比表面积大
对气体有选择性透过作用
第二章 单元测试
1、 依据等径球体的堆积原理得出，六方密堆积的堆积系数（ ）立方密堆积的堆积系数。
A:大于
B:小于
C:等于
D:不确定
答案: 等于
2、 某AX型晶体，A+的电荷数为1，A-B键的S=1/6，则A+的配位数为（ ）。
A:4
B:12
C:8
D:6
答案: 6
3、 在ABO3（钙钛矿）型结构中，B离子占有（ ）。
A:四面体空隙
B:八面体空隙
C:立方体空隙
D:三方柱空隙晶体
答案: 八面体空隙
4、 能够发生自发极化效应的物质包括（ ）。
A:钛酸钙
B:钛酸钡
C:金红石
D:刚玉
答案: 钛酸钡
5、 构成硅酸盐晶体的基本结构单元为[SiO4]，两个相邻的[SiO4]之间可以通过哪种方式相互连接（ ）。
A:共顶
B:共面
C:共棱
D:共顶、共面共棱
答案: 共顶
第三章 单元测试
1、 对于形成杂质缺陷而言，低价正离子占据高价正离子位置时，该位置带有负电荷，为了保持电中性，会产生（ ）。
A:负离子空位
B:间隙正离子
C:间隙负离子
D:正离子空位
答案: 负离子空位
间隙正离子
2、 固溶体的特点是掺入外来杂质原子后原来的晶体结构不发生转变，但发生点阵畸变，性能变化。所形成的固溶体包括有限固溶体和无限固溶体两种类型，其中（ ）。
A:结构相同是无限固溶的充要条件
B:结构相同是无限固溶的必要条件，不是充分条件
C:结构相同是有限固溶的必要条件
D:结构相同不是形成固溶体的条件
答案: 结构相同是无限固溶的必要条件，不是充分条件
3、 按照晶体结构缺陷形成的原因，可将晶体结构缺陷的类型分为（ ）。
A:热缺陷
B:杂质缺陷
C:非化学计量缺陷
D:电荷缺陷
答案: 热缺陷
杂质缺陷
非化学计量缺陷
电荷缺陷
4、 位错的滑移是指位错在何种力的作用下，在滑移面上的运动，结果导致永久形变（ ）。
A:外力
B:热应力
C:化学力
D:结构应力
答案: 外力
5、 热缺陷亦称为本征缺陷，是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点（原子或离子）。当离子晶体生成肖特基缺陷（Schottky defect）时，（ ）。
A:正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的缩小
B:正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加
C:正离子空位和负离子间隙是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加
D:正离子间隙和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加
答案: 正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加
第四章 单元测试
1、 硅酸盐玻璃的结构是以硅氧四面体为结构单元形成的（ ）的聚集体。
A:近程有序，远程无序
B:近程有序，远程有序。
C:近程无序，远程无序
D:近程无序，远程有序
答案: 近程有序，远程无序
2、 在硅酸盐熔体中，当R=O/Si减小时，相应熔体组成和性质发生变化，熔体析晶能力（ ）。
A:增大
B:减小
C:不变
D:不确定
答案: 减小
3、 可以根据3T曲线求出熔体的临界冷却速率。熔体的临界冷却速率越小，就（ ）形成玻璃。
A:越难
B:越容易
C:越快
D:缓慢
答案: 越容易
4、 当O/Si比趋近于4时，Li2O-SiO2、Na2O-SiO2、K2O-SiO2三种熔体的粘度大小次序为（ ）。
A:Li2O-SiO2＜Na2O-SiO2＜K2O-SiO2
B:K2O-SiO2＜Na2O-SiO2＜Li2O-SiO2
C:Li2O-SiO2＜K2O-SiO2＜Na2O-SiO2
D:Na2O-SiO2＜ Li2O-SiO2＜K2O-SiO2
答案: K2O-SiO2＜Na2O-SiO2＜Li2O-SiO2
5、 Si:O趋近于1/2时硅酸盐晶体的结构类型为（ ）。
A:岛状
B:链状
C:层状
D:架状
答案: 架状
6、 过冷度越大，相应的成核位垒越小，临界晶核半径越小，析晶能力（ ）。
A:越小
B:越大
C:不变
D:0
答案: 不变
7、 过冷度愈大，临界晶核半径越小，相应地相变（ ）。
A:越小
B:越大
C:愈易进行
D:不受影响
答案: 愈易进行
8、 在硅酸盐熔体中，当R＝O/Si减小时，相应熔体组成和性质的变化是：非桥氧百分数（ ），熔体粘度增大，熔体析晶倾向减小。
A:减小
B:增大
C:不变
D:0
答案: 减小
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