趁咀熄溺幸五测寺累危非皮巾
第一部分 课程概论 第一部分第一次测验
1、 题1-1-1 中国高端芯片联盟正式成立时间是： 。
答案: 2016年7月
2、 题1-1-2 如下不是集成电路产业特性的是： 。
答案: 低风险
3、 题1-1-3 摩尔定律是指集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔： 个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。
答案: 18
4、 题1-1-4 摩尔定律之后，集成电路发展有三条主线，以下不是集成电路发展主线的是： 。
答案: SoC
5、 题1-1-5 单个芯片上集成约50万个器件，按照规模划分，该芯片为： 。
答案: VLSI
6、 题1-1-6 年发明了世界上第一个点接触型晶体管。
答案: 1947
7、 题1-1-7 年发明了世界上第一块集成电路。
答案: 1958
8、 题1-1-8 FinFET等多种新结构器件的发明人是： 。
答案: 胡正明
9、 题1-1-9 集成电路代工产业的缔造者： 。
答案: 张忠谋
10、 题1-1-10 世界第一块集成电路发明者： 。
答案: 基尔比
第二部分半导体器件物理基础 第二部分第一次测验
1、 MOS管一旦出现 现象，此时的MOS管将进入饱和区。
答案: 夹断
2、 MOS管从不导通到导通过程中，最先出现的是 。
答案: 耗尽
3、 在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在 区。
答案: 饱和区
4、 PMOS管的导电沟道中依靠 导电。
答案: 空穴
5、 载流子沟道在栅氧层下形成 ，源和漏之间“导通”。
答案: 反型层
6、 下图中的MOS管工作在 区（假定Vth=0.7V）。
答案: 饱和区
7、 在NMOS中，若
, 会使阈值电压 。
答案: 增大
8、 题2-1-8、如果MOS管的栅源过驱动电压给定，L越 ，输出电流越理想。
答案: 大
9、 表征了MOS器件的灵敏度，即检测输入电压转换为输出电流的能力。
答案: 
10、 MOS管的小信号输出电阻
是由MOS管的 效应产生的。
答案: 沟长调制
第二部分半导体器件物理基础 第二部分第二次测试
1、 MOS管中相对最大的寄生电容是 。
答案: 栅极氧化层电容
2、 工作在 区的MOS管，其跨导是恒定值。
答案: 饱和
3、 下列说法正确的是 。
答案: MOS器件中存在多个寄生电容，在不同频率下，器件的工作特性有较大差异。
4、 一个MOS管的本征增益表述错误的是 。
答案: 与MOS管电流无关
5、 下图中的MOS管工作在 区（假定Vth=0.7V）。
答案: 饱和区
6、 工作在饱和区的MOS管，可以被看作是一个 。
答案: 电压控制电流源
7、 MOS管的小信号模型中，体现沟长调制效应的参数是（）。
答案: 
8、 模拟集成电路设计中可使用大信号分析方法的是（）。
答案: 输出摆幅
9、 模拟集成电路设计中可使用小信号分析方法的是 。
答案: 增益
10、 画小信号等效电路时，恒定电流源视为 。
答案: 开路
第三部分 集成电路制造工艺及版图 第三部分第一次测验
1、 以下不是半导体材料的是： 。
答案: C
2、 以下不是集成电路制造工艺特点的是：
答案: 低精度
3、 体现集成电路工艺技术水平的关键技术指标是： 。
答案: A、特征尺寸
4、 以下不是光刻系统的主要指标的是： 。
答案: 晶圆直径
5、 在光学曝光中，由于掩膜版的位置不同，又分为接触式曝光，接近式曝光和：
答案: 投影式曝光
6、 下列有关集成电路发展趋势的描述中，不正确的是 。
答案: 晶圆尺寸越来越小
7、 刻蚀是用化学方法或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是： 。
答案: B. 在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形
8、 以下不是影响刻蚀质量的主要因素是： 。
答案: 刻蚀槽的高度
9、 集成电路制造工艺中对刻蚀的要求包括：能得到想要的形状(斜面还是垂直图形)；过腐蚀最小(一般要求过腐蚀10％，以保证整片刻蚀完全)； ；均匀性和重复性好；表面损伤小和清洁、经济、安全等。
答案: 选择性好
10、 与湿法腐蚀比较，以下是干法刻蚀的优点是： 。
答案: 保真度好，图形分辨率高；
11、 以下不是半导体材料的是 。
答案: C
12、 以下不是集成电路制造工艺特点的是 。
答案: 低精度
13、 体现集成电路工艺技术水平的关键技术指标是 。
答案: 特征尺寸
14、 以下不是光刻系统的主要指标的是 。
答案: 晶圆直径
15、 下列有关集成电路发展趋势的描述中，不正确的是 。
答案: 晶圆尺寸越来越小
16、 在光学曝光中，由于掩膜版的位置不同，又分为接触式曝光，接近式曝光和 。
答案: 投影式曝光
17、 刻蚀是用化学方法或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是 。
答案: 在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形
18、 以下不是影响刻蚀质量的主要因素是 。
答案: 刻蚀槽的高度
19、 集成电路制造工艺中对刻蚀的要求包括：能得到想要的形状(斜面还是垂直图形)；过腐蚀最小(一般要求过腐蚀10％，以保证整片刻蚀完全)； ；均匀性和重复性好；表面损伤小和清洁、经济、安全等。
答案: 选择性好
20、 与湿法腐蚀比较，以下是干法刻蚀的优点是 。
答案: 保真度好，图形分辨率高；
第三部分 集成电路制造工艺及版图 第三部分第二次测验
1、 通过定域、定量扩散掺杂，不能实现的目的是： 。
答案: 形成隔离
2、 固相扩散是通过微观粒子一系列随机跳跃来实现的，主要有三种方式。如下不是固相扩散方式的是： 。
答案: 热运动
3、 以下不是扩散工艺的重要参数是： 。
答案: 杂质类型
4、 两步工艺分为预淀积（预扩散）、再分布（主扩散）两步。预淀积是惰性气氛下的 。
答案: 恒定源扩散
5、 根据扩散源的不同，有三种不同扩散工艺，以下不是的是 。
答案: 替位式扩散
6、 因为离子注入所引起的简单或复杂的缺陷统称为 。
答案: 晶格损伤
7、 以下不是离子注入特点的是 。
答案: C、不会产生缺陷甚至非晶化
8、 以下不是集成电路制造工艺中离子注入用途的是 。
答案: 形成互连
9、 以下不是化学气相沉积工艺所能完成的是 。
答案: 器件隔离结构
10、 以下不是化学气相沉积工艺所成薄膜质量指标的是 。
答案: 薄膜宽度
11、 以下是物理气相沉积工艺的是 。
答案: 真空蒸发
12、 以下是物理气相沉积工艺中真空蒸镀法的缺点是 。
答案: 工艺重复性不够理想
13、 通过定域、定量扩散掺杂，不能实现的目的是 。
答案: 形成隔离
14、 固相扩散是通过微观粒子一系列随机跳跃来实现的，主要有三种方式。如下不是固相扩散方式的是： 。
答案: 热运动
15、 以下不是扩散工艺的重要参数是 。
答案: 杂质类型
16、 两步工艺分为预淀积（预扩散）、再分布（主扩散）两步。预淀积是惰性气氛下的 。
答案: 恒定源扩散
17、 根据扩散源的不同，有三种不同扩散工艺，以下不是的是 。
答案: 替位式扩散
18、 因为离子注入所引起的简单或复杂的缺陷统称为 。
答案: 晶格损伤
19、 以下不是离子注入特点的是 。
答案: 不会产生缺陷甚至非晶化
20、 以下不是集成电路制造工艺中离子注入用途的是 。
答案: 形成互连
21、 以下不是化学气相沉积工艺所能完成的是 。
答案: 器件隔离结构
22、 以下不是化学气相沉积工艺所成薄膜质量指标的是 。
答案: 薄膜宽度
23、 以下是物理气相沉积工艺的是 。
答案: 真空蒸发
24、 以下是物理气相沉积工艺中真空蒸镀法的缺点是 。
答案: 工艺重复性不够理想
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